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深圳大芯超导有限公司  
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公司档案
公司名称: 深圳大芯超导有限公司 公司类型: 企业单位 ()
所在地区: 广东省/深圳市/宝安区 公司规模:
注册资本: 未填写 注册年份: 2012
资料认证:  
保  证  金: 已缴纳 ¥0.00
经营范围: CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代,Wolfspeed碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅MOSFET模块国产替代,英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代,IMZA120R040M1H国产替代,IMW120R040M1H国产替代,IMW120R045M1国产替代,C3M0075120D国产替代,C3M0160120D国产替代,C3M0040120K国产替代,I型NPC1三电平IGBT模块,T型NPC2三电平IGBT模块,英飞凌IGBT模块国产替
销售产品: 英飞凌IGBT单管国产替代,英飞凌混合IGBT单管国产替代,英飞凌IGBT模块国产替代,BGH50N65HF1,IKW50N65RH5国产替代,AIKW50N65RF5国产替代,IKW50N65SS5国产替代,英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代,BGH50N65ZF1,IKW50N65ET7国产替代,IKW50N65ES5国产替代,BGH75N65HF1,IKW75N65RH5国产替代,IKW75N65SS5国产替代,BGH75N65ZF1,IKW75N65ES5国产替代,IKW75N65ET7国产替
采购产品: 光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,分立IGBT,混合IGBT模块,混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT单管,混合IGBT单管,国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分立碳化硅MOSFET,国产TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC
主营行业:
电子元器件
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